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• 와이드 아이오 모바일 디램, Wide Input Output Mobile DDR, Wide IO MDDR

  정보를 입출력하는 핀 수를 늘려 빠른 속도와 낮은 소비 전력을 구현한 다음 세대 디램. 기존 모바일 디램(MDDR)의 정보 입출력(IO) 핀 수를 32개에서 512개로 늘려 전송 속도를 초마다 1.6GB에서 12.8GB로 높이고, 전력 소모도 8분의 1 수준으로 낮춘 디램이다.